| 摘要 |
Selbst in dem Fall, in dem ein negativer Strom in einer Halbleitervorrichtung fließt, wird verhindert, dass das Potential eines Halbleitersubstrats (3) niedriger wird als das Potential einer tiefen Halbleiterschicht, die eine Komponente eines Schaltungselements (2) ist, und es wird verhindert, dass ein parasitäres Element arbeitet, was folglich eine Funktionsstörung der Halbleitervorrichtung verhindert. Die Halbleitervorrichtung umfasst das Halbleitersubstrat (3) vom n-Typ, ein Leistungselement (1), das Schaltungselement (2) und eine externe Schaltung. Die externe Schaltung umfasst eine Leistungsversorgung, ein Widerstandselement mit einem Ende, das mit der Leistungsversorgung verbunden ist, und eine Diode, deren Anodenelektrode mit dem anderen Ende des Widerstandselements verbunden ist und deren Kathodenelektrode mit Masse verbunden ist. Mit dem anderen Ende des Widerstandselements ist eine Halbleiterschicht (4) verbunden. |
