发明名称 MOLDED ELECTRICALLY INSULATING HOUSING FOR SEMICONDUCTOR COMPONENTS OR ASSEMBLIES AND PRODUCTION METHOD
摘要 <p>In einem Transfermoldingverfahren werden zwei unterschiedlich thermisch leitfähige Materialien (1, 2) mittels reaktiver Bindemittel verbunden, wobei das erste Material (1) nicht einspritzfähig ist und vor dem Transfermolding-Prozess die nicht spritzfähige Schicht mit einem Anteil thermisch leitfähigen körnigem Material durch Siebdruck oder Einpressen in eine Form (4) eingebracht wird. Anschließend wird das Gehäuse samt elektronischer Baugruppe (6) insgesamt durch Transfermolding unter Druck gefüllt und beide Materialien (1, 2) werden gleichzeitig reaktiv ausgehärtet. Elektrisch isolierende und thermisch gut leitfähige Gehäuse für z. B. integrierte Powermodule und Leistungs-LED-Module werden so möglich.</p>
申请公布号 WO2013061183(A1) 申请公布日期 2013.05.02
申请号 WO2012IB55168 申请日期 2012.09.27
申请人 GABRIEL, RUPPRECHT 发明人 GABRIEL, RUPPRECHT
分类号 H01L21/56;H01L23/31 主分类号 H01L21/56
代理机构 代理人
主权项
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