OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP

摘要

In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung. Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine Lichtaustrittsseite (25) auf, an der eine Lichtauskoppelschicht (4) angebracht ist. Die Lichtauskoppelschicht (4) umfasst strahlungsinaktive Nano-Kristalle (40) aus einem für die erzeugte Strahlung durchlässigen Material. Ein Brechungsindex des Materials der Nano-Kristalle (40) beträgt für die erzeugte Strahlung mindestens 1,9 oder mindestens 2,2.