| 摘要 |
<p>고온의 아닐 처리를 필요로 하지 않고 트랜지스터 특성의 향상을 도모할 수 있는 전계 효과형 트랜지스터의 제조 방법을 제공한다. 활성층을 구성하는 In-Ga-Zn-O 박막을 성막 온도 100 ℃ 이상으로 스팩터 성막한다. 그 후, 300 ℃ 로 대기중 아닐 처리한다. 아닐 처리는, 성막 직후의 활성층의 트랜지스터 특성의 향상을 도모할 목적으로 실시된다. 기재를 가열하면서 스패터링법에 의해 성막된 In-Ga-Zn-O 박막은, 무가열로 성막된 In-Ga-Zn-O 박막과 비교하여, 내부 왜곡이나 결함이 적다. 따라서, 가열 성막된 In-Ga-Zn-O 박막을 활성층으로서 형성 함으로써, 무가열로 성막된 동일 재료의 활성층과 비교하여, 아닐 효과를 높일 수 있다. 이에 의해, 저온의 아닐 처리에 의해 우수한 트랜지스터 특성을 가지는 활성층을 형성하는 것이 가능해진다.</p> |
