| 摘要 |
提供在原料气体到达处理基板之前防止执行反应，将来自处理基板的辐射热影响作成最小，对结晶成膜在反应室的气体举动可作成更良好的成膜装置。一种成膜装置，属于在加热状态的处理基板5表面，反应复数原料气体而执行成膜的成膜装置，其特征为：上述处理室1被区分成加热室1a与反应室1b，在与露出于反应室1b的处理基板5相对部位，以连续于反应室1b的状态下设有原料气体的排气管7；对于处理基板5表面将各原料气体以分别独立的状态供给的供给口11，12，配置成比排气管7还位于外方。由此，在处理基板5最接近处反应原料气体而在处理基板5上形成有良好的结晶成膜。 |
