发明名称 奈米结晶的形成
摘要 在一实施例中,本发明提供一种在一基材上形成一金属奈米结晶材料的方法,此方法包括:曝露一基材于一预处理制程,在基材上形成一穿隧介电层,曝露基材于一后处理制程,在穿隧介电层上形成一金属奈米结晶层,及在金属奈米结晶层上形成一介电覆盖层。此方法更提供形成具有奈米结晶密度为至少约5x1012cm-2之金属奈米结晶层,尤以具有至少约8x1012cm-2为佳。在一范例中,此金属奈米结晶层含有铂、钌或镍。在另一实施例中,本发明提供一种在基材上形成一多层的金属奈米结晶材料的方法,此包含:形成复数个双层,其中每一双层包含沉积于一金属奈米结晶层上之一中间介电层。某些范例包括至少10、50、或100层的双层。
申请公布号 TWI395335 申请公布日期 2013.05.01
申请号 TW096123850 申请日期 2007.06.29
申请人 应用材料股份有限公司 美国 发明人 克里许纳内堤M;霍夫曼拉夫;辛库榭尔K;阿姆斯壮卡尔J
分类号 H01L29/788;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115 主分类号 H01L29/788
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项
地址 美国