发明名称 |
奈米结晶的形成 |
摘要 |
在一实施例中,本发明提供一种在一基材上形成一金属奈米结晶材料的方法,此方法包括:曝露一基材于一预处理制程,在基材上形成一穿隧介电层,曝露基材于一后处理制程,在穿隧介电层上形成一金属奈米结晶层,及在金属奈米结晶层上形成一介电覆盖层。此方法更提供形成具有奈米结晶密度为至少约5x1012cm-2之金属奈米结晶层,尤以具有至少约8x1012cm-2为佳。在一范例中,此金属奈米结晶层含有铂、钌或镍。在另一实施例中,本发明提供一种在基材上形成一多层的金属奈米结晶材料的方法,此包含:形成复数个双层,其中每一双层包含沉积于一金属奈米结晶层上之一中间介电层。某些范例包括至少10、50、或100层的双层。 |
申请公布号 |
TWI395335 |
申请公布日期 |
2013.05.01 |
申请号 |
TW096123850 |
申请日期 |
2007.06.29 |
申请人 |
应用材料股份有限公司 美国 |
发明人 |
克里许纳内堤M;霍夫曼拉夫;辛库榭尔K;阿姆斯壮卡尔J |
分类号 |
H01L29/788;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115 |
主分类号 |
H01L29/788 |
代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
主权项 |
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地址 |
美国 |