基板之氮化处理方法及绝缘膜之形成方法

摘要

揭示之基板之氮化处理方法，系在电浆处理装置之处理室内对基板表面之矽作用含氮之电浆而施予氮化处理者；使电浆产生区域之电浆电位(Vp)与上述基板中之浮动电位(Vf)间之电位差(Vp-Vf)、亦即上述基板附近之鞘电压(Vdc)控制成为3.5〔V〕以下，而进行上述含氮电浆之氮化处理。