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发明名称
平面型沟槽功率电感结构与制造方法
摘要
本一个包括平面铁氧体磁芯的电感。第一组一个或多个沟槽形成于铁氧体磁芯的第一侧上。第二组两个或多个沟槽形成于铁氧体磁芯的第二侧上。所述第一和第二组的沟槽定位为每个第一组的沟槽与第二组的两个对应的沟槽相重迭。第一组多个导通孔在铁氧体磁芯的第一侧和第二侧之间连通铁氧体磁芯。每个所述导通孔位于第一组沟槽与第二组沟槽重迭的位置。导电材料设置在第一和第二组沟槽和导通孔中以形成一个电感线圈。
申请公布号
TWI395237
申请公布日期
2013.05.01
申请号
TW098118750
申请日期
2009.06.05
申请人
万国半导体股份有限公司 美国
发明人
赫尔伯特 弗兰茨娃;冯涛;鲁军
分类号
H01F27/28;H01F27/24;H01F41/02
主分类号
H01F27/28
代理机构
代理人
蔡清福 台北市中山区中山北路3段27号13楼
主权项
地址
美国
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