具有多元高熵合金氧化物的光电半导体、导体、绝缘体及其设计方法

摘要

本发明主要提供具有多元高熵合金氧化物的光电半导体及其相关的设计方法、与相关材料，选定锌、锡、铜、钛，与铌构成多元高熵合金，氧占陶瓷材料的原子百分比是51.00at%~57.00at%，其中，锌、锡、铜、钛，与铌的原子百分比占光电半导体的3.00at%~13.00at%，使多元高熵合金与氧结合成具有高熵合金氧化物的光电半导体，另外，氧的原子百分比在小于51.00at%时，所成的高熵合金氧化物呈现导体特性，大于59.00at%则呈现透明绝缘体的特性，而适用于光电技术领域，有效促进光电技术发展。