| 摘要 |
本发明系提供一种主要由Ga、In及O所成之透明导电膜制造用烧结体靶，对于总金属原子而言含有Ga为49.1原子%以上65原子%以下，主要由β－GaInO3相与In2O3相所构成，In2O3相(400)/β－GaInO3相(III)之X线绕射波峰强度比为45%以下、更且密度为5.8g/cm3以上。利用溅镀法取得之透明导电膜主要由Ga、In及O所成之非晶质氧化物膜透明导电膜、对于总金属原子而言含有Ga为49.1原子%以上65原子%以下，功函数为5.1eV以上、波长633nm之折射率为1.65以上、1.85以下。 |
