发明名称 |
带状离子束植入机系统、架构及离子植入工件之方法 |
摘要 |
本发明揭露一种带状离子束离子植入机系统之架构。在一实施例中,架构包括:加速/减速平行化透镜系统,其用于接收扇型带状离子束且用于将扇型带状离子束至少平行化(且或许亦加速或减速)为实质上平行之带状离子束;以及能量过滤系统,其在加速/减速平行化透镜系统之下游且在将由实质上平行之带状离子束植入之工件之前。加速/减速平行化透镜系统包括用于至少平行化(且或许亦加速或减速)扇型带状离子束的透镜以及用于使实质上平行之带状离子束加速或减速的加速/减速透镜。平行化透镜允许高电流带状离子束以可下降至低至约200 eV之能量来传送至工件。能量过滤系统提供实质上没有能量污染之实质上平行的带状离子束。 |
申请公布号 |
TWI395251 |
申请公布日期 |
2013.05.01 |
申请号 |
TW096102648 |
申请日期 |
2007.01.24 |
申请人 |
瓦里安半导体设备公司 美国 |
发明人 |
沙丹特曼德 坷若许;凯勒曼 彼德L. KELLERMAN, PETER L. US |
分类号 |
H01J37/317;H01J37/30 |
主分类号 |
H01J37/317 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
美国 |