发明名称 |
绝缘膜研磨用CMP研磨剂、研磨方法、以该研磨方法研磨的半导体电子零件 |
摘要 |
本发明提供一种绝缘膜研磨用高速CMP研磨剂、使用该CMP研磨剂进行研磨的研磨方法、以该研磨方法研磨的半导体电子零件。本发明能够在使层间绝缘膜、硼磷矽玻璃膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中,可有效且高速地研磨二氧化矽膜或碳氧化矽膜等绝缘膜。本发明的绝缘膜研磨用CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、在侧链上具有胺基的水溶性高分子及水。 |
申请公布号 |
TWI394823 |
申请公布日期 |
2013.05.01 |
申请号 |
TW096103479 |
申请日期 |
2007.01.31 |
申请人 |
日立化成股份有限公司 日本 |
发明人 |
深泽正人;榎本和宏;山岸智明;小山直之 |
分类号 |
C09K3/14;H01L21/304 |
主分类号 |
C09K3/14 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
日本 |