发明名称 绝缘膜研磨用CMP研磨剂、研磨方法、以该研磨方法研磨的半导体电子零件
摘要 本发明提供一种绝缘膜研磨用高速CMP研磨剂、使用该CMP研磨剂进行研磨的研磨方法、以该研磨方法研磨的半导体电子零件。本发明能够在使层间绝缘膜、硼磷矽玻璃膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中,可有效且高速地研磨二氧化矽膜或碳氧化矽膜等绝缘膜。本发明的绝缘膜研磨用CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、在侧链上具有胺基的水溶性高分子及水。
申请公布号 TWI394823 申请公布日期 2013.05.01
申请号 TW096103479 申请日期 2007.01.31
申请人 日立化成股份有限公司 日本 发明人 深泽正人;榎本和宏;山岸智明;小山直之
分类号 C09K3/14;H01L21/304 主分类号 C09K3/14
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项
地址 日本