氮化物半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，上述氮化物半导体发光元件依次包括导电性基板、第1金属层、第2导电型半导体层、发光层及第1导电型半导体层，更包括绝缘层，其至少覆盖上述第2导电型半导体层、上述发光层及上述第1导电型半导体层之侧面。进而亦可包括第2金属层。藉此，可提供一种与先前相比，可减少PN接合部分之短路或电流泄漏之可靠性较高之氮化物半导体发光元件及其制造方法。