事前测量处理方法、曝光系统及基板处理装置

摘要

为能以高产能且高效率制造高性能、高品质之微元件等。;在将晶圆W搬入曝光装置200（用来曝光晶圆W）之前，以线内测量器400来测量形成于该晶圆W上之标记，并将测量结果及/或运算处理该测量结果后之结果通知曝光装置200。曝光装置200，根据所通知之结果，将测量条件最佳化且实施对准等处理。