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发明名称
半导体记忆体装置及其操作方法
摘要
本发明提供一种使用具有一高频率之系统时脉之半导体记忆体装置,其即使在一包括电压位准、温度及制程之改变的操作环境情况下,仍可维持一恒定的操作裕量。该半导体记忆体装置包括:一资料输出控制电路,其经组态以藉由使用一对应于一系统时脉之一上升缘的第一输出源信号来控制与该系统时脉之一下降缘同步输出的资料,且藉由使用一对应于该系统时脉之一下降缘的第二输出源信号来控制与该系统时脉之该上升缘同步输出的资料;及一资料输出电路,其经组态以输出资料,该资料输出电路系由该资料输出控制电路来控制。
申请公布号
TWI395220
申请公布日期
2013.05.01
申请号
TW097128160
申请日期
2008.07.24
申请人
海力士半导体股份有限公司 南韩
发明人
边嬉珍
分类号
G11C11/34
主分类号
G11C11/34
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
南韩
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