记忆体结构及其制造方法

摘要

本发明是有关于一种记忆体结构及其制造方法。该记忆体结构，包括记忆胞，且记忆胞包括第一介电层、栅极、半导体层、第一掺杂区、第二掺杂区及电荷储存层。第一介电层设置于基底上。栅极包括基部及突出部。基部设置于第一介电层上。突出部设置于基部上，且暴露出部分基部。半导体层共形地设置于栅极上，且包括顶部、底部及侧部。顶部设置于突出部上方。底部设置于由突出部所暴露的基部上方。侧部位于突出部的侧壁，且连接顶部与底部。第一掺杂区及第二掺杂区分别设置于顶部中与底部中，而侧部作为通道区。电荷储存层设置于栅极与半导体层之间。藉此本发明可以抑制电性击穿漏电流的产生，及防止由二次热电子所造成的程序化干扰。

主权项

一种记忆体结构，其特征在于其包括一记忆胞，且该记忆胞包括：一第一介电层，设置于一基底上；一栅极，包括：一基部，设置于该第一介电层上；及一突出部，设置于该基部上，且暴露出部分基部；一半导体层，共形地设置于该栅极上，且包括：一顶部，设置于该突出部上方；一底部，设置于由该突出部所暴露的该基部上方；及一侧部，位于该突出部的侧壁，且连接该顶部与该底部；一第一掺杂区及一第二掺杂区，分别设置于该顶部中与该底部中，而该侧部作为一通道区；以及一电荷储存层，设置于该栅极与该半导体层之间。