一种氧化硅陶瓷大薄板的制造方法

摘要

本发明是一种氧化硅陶瓷大薄板的制造方法。包括制备原料坯土颗粒，制备氧化硅陶瓷大薄板生坯，制备氧化硅陶瓷大薄板基体层素板和制备氧化硅陶瓷大薄板成品四步。原料重量配比：针状硅灰石30～60份，粘土25～30份，莫来石15～20份，瓷土15～20份，长石10～20份，膨润土10～30份；针状硅灰石占原料总重量的28.57～36.36％；针状硅灰石的长径比是16.5～20∶1；原料坯土颗粒；成型压力为6000～7000吨/m2，压成生坯；在80～250℃/40～100min干燥；800～1300℃/50～120min素烧基体层素板；经施釉、印花、900～1300℃/30～120min烧成；制得化硅陶瓷大薄板成品。胶皮垫和多余的坯体料全部回收使用。氧化硅陶瓷大薄板成品，规格为：长∶宽∶厚度＝1500～2200mm∶800～1500mm∶3～6mm。

主权项

一种氧化硅陶瓷大薄板的制造方法，包括制备原料坯土颗粒，制备氧化硅陶瓷大薄板生坯，制备氧化硅陶瓷大薄板基体层素板和制备氧化硅陶瓷大薄板成品四步，其特征是：(1)制备原料坯土颗粒原料重量配比：针状硅灰石30～60份，粘土25～30份，莫来石15～20份，瓷土15～20份，长石10～20份，膨润土10～30份；针状硅灰石占原料总重量的28.57～36.36%；所述的针状硅灰石的长径比是16.5～20∶1；将其它原料研磨成粒度250目全通过的细粉，再与针状硅灰石混匀，加原料重量30%量的水，调和后，经过筛选、除铁成为均匀的浆料，再通过400～500℃喷雾干燥造粒，成含水率6～8%、180～200目粒度占80%以上的原料坯土颗粒；(2)制备氧化硅陶瓷大薄板生坯上步制得的原料坯土颗粒，经过布料机均匀撒布在1600×2800mm的胶皮垫上，每次30～35kg，摊成原料坯土的长×宽×厚为2280×1170×28mm，每次一片，连续不断布料运行；将胶皮垫上坯体料传送到大压机高压成型，坯土成型压力6000～7000吨/m2，压成大薄板生坯，备用；成型后，胶皮垫和多余的坯体料全部回收使用；(3)制备氧化硅陶瓷大薄板基体层素板将上步制得的氧化硅陶瓷大薄板生坯，80～250℃/40～100min干燥；再经过在800～1300℃/50～120min素烧；制得氧化硅陶瓷大薄板基体层素板，备用；(4)制备氧化硅陶瓷大薄板成品将上步制得的氧化硅陶瓷大薄板素板，表面经施釉、印花工艺后、900～1300℃/30～120min烧成；制得的氧化硅陶瓷大薄板成品；检验合格后入库；所述的氧化硅陶瓷大薄板成品，规格为：长∶宽∶厚度=1500～2200mm∶800～1500mm∶3～6mm；所述的氧化硅陶瓷大薄板的结构，自上而下由融接、复合为一体的面釉层，基釉层和基体层多层复合结构构成；层间互相共融、渗接复合为一体；所述基体层的背面设置凹凸的坯纹层；所述的氧化硅陶瓷大薄板的理化参数为：外观整体具有木材般弹性、断面呈纤维状晶态；参数值不燃；吸水率≤10%；破坏强度≥750N/cm2，断裂模数≥40Mpa；弯曲度≥12mm；冻融试验+20～‑35℃完好无损；耐140℃热振，完好无损，耐污染性不低于3级，耐化学腐蚀性不低于GB级，辐射性：内照射≤1.0、外照射≤1.3。