| 发明名称 | 微结构、半导体器件、以及微结构的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种微结构、半导体器件、以及微结构的制造方法。所述微结构包括：第一结构层；以及夹着空隙与所述第一结构层相对，且其一部分固定于第一结构层上的第二结构层。第一结构层及第二结构层中的至少一个可以改变位置。另外，第一结构层及第二结构层的相对的表面都以互不相同的粗糙度表面粗糙化。 | ||
| 申请公布号 | CN101033057B | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN200710086232.3 | 申请日期 | 2007.03.09 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山口真弓;泉小波 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L49/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I;B81B5/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 一种微结构，包括：具有第一表面的第一结构层，所述第一表面具有第一粗糙度；以及具有第一局部和第二局部的第二结构层，所述第一局部被固定到所述第一表面的第一部分，所述第二局部具有第二表面，所述第二表面具有第二粗糙度，所述第二表面面对所述第一表面的第二部分，在所述第一表面的所述第二部分与所述第二表面之间夹有空隙，其中，所述第一结构层及所述第二结构层中的至少一个可以改变位置；所述第一粗糙度和所述第二粗糙度彼此不同，并且所述第一结构层的最相邻的凸部的顶点之间的第一距离比所述第二结构层的最相邻的凸部的顶点之间的第二距离长。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||