| 发明名称 | 制造磁阻元件的制造方法和磁阻元件的制造设备 | ||
| 摘要 | 公开了制造磁阻元件的方法，其包括隧道势垒形成步骤。所述隧道势垒形成步骤包括：形成具有第一厚度的金属层的金属层形成步骤，进行等离子体处理的等离子体处理步骤，其中将所述金属层暴露于惰性气体的等离子体中以蚀刻所述金属层从而具有比第一厚度小的第二厚度，以及氧化经受等离子体处理的金属层以形成金属氧化物的氧化步骤，这形成隧道势垒。 | ||
| 申请公布号 | CN101960631B | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN200980107745.5 | 申请日期 | 2009.03.06 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司 | 发明人 | 崔永硕 |
| 分类号 | H01L43/12(2006.01)I;G11B5/39(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/8246(2006.01)I;H01L27/105(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 李帆 |
| 主权项 | 一种制造磁阻元件的方法，该方法的隧道势垒形成步骤包括：形成具有第一厚度的金属层的金属层形成步骤；进行等离子体处理的等离子体处理步骤，所述等离子体处理将所述金属层暴露于惰性气体的等离子体中以降低金属层表面晶粒尺寸并蚀刻所述金属层从而具有比第一厚度小的第二厚度；和对经受过等离子体处理的金属层进行氧化以形成金属氧化物的氧化步骤，这形成隧道势垒。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||