氮化镓系化合物半导体层的形成和转移方法及基板结构

摘要

本发明公开一种氮化镓系化合物半导体层的形成和转移方法及基板结构。所述方法包括：在第一基板上形成包含氧化硅的第一层；部分地去除第一层以形成第一基板上的露出部分；在具有露出部分的第一基板上沉积非晶氮化镓系化合物半导体；蒸发第一层上的半导体以在第一基板的露出部分上形成半导体的核；通过半导体的核的尺寸的增大、核的合并、晶体生长、刻面的形成、位错线的弯曲、向第一层上的横向晶体生长、相邻晶粒之间的碰撞、横向生长的晶体的合并、位错网的形成和平坦表面的形成，在第一基板上形成半导体的外延层；和去除第一基板上的露出部分上的半导体的外延层，以形成分开沟槽。

主权项

一种形成氮化镓系化合物半导体层的形成方法，所述形成方法包括：在蓝宝石或SiC基板的第一基板上形成包含氧化硅的第一层；部分地去除所述第一层以形成所述第一基板上的露出部分；在具有所述露出部分的所述第一基板上沉积非晶氮化镓系化合物半导体；蒸发所述第一层上的所述非晶氮化镓系化合物半导体以在所述第一基板的所述露出部分上形成所述非晶氮化镓系化合物半导体的核；通过所述非晶氮化镓系化合物半导体的核中的至少一个的尺寸的增大、核的合并、晶体生长、刻面的形成、位错线的弯曲、向所述第一层上的横向晶体生长、相邻晶粒之间的碰撞、横向生长的晶体的合并、位错网的形成和平坦表面的形成，在所述第一基板上形成氮化镓系化合物半导体的外延层；和去除所述第一基板上的所述露出部分上的所述氮化镓系化合物半导体的外延层，以形成分开沟槽，其中，所述外延层的至少一部分通过使用预定厚度的接合层被选择性地转移，以及所述预定厚度在1.0微米至10微米的范围中。