| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种半导体器件。在一示例中，半导体器件可以包括：衬底；和在衬底上形成的槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和垂直型结型场效应晶体管(JFET)。MOSFET可以包括：在衬底中形成的槽型栅区；和在衬底中形成的源区和漏区。JFET可以包括：在衬底中形成的槽填充部底端下方形成的栅区；和在衬底中形成的源区和漏区。JFET的栅区与MOSFET的源区可以在衬底中电接触，JFET的漏区与MOSFET的漏区可以包括衬底的相同部分。 | ||
| 申请公布号 | CN202917488U | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201220568206.0 | 申请日期 | 2012.10.31 |
| 申请人 | 成都芯源系统有限公司 | 发明人 | 张磊;李铁生;马荣耀 |
| 分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L27/098(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，该半导体器件包括：衬底；和在衬底上形成的槽栅型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和垂直型结型场效应晶体管(JFET)，其中所述MOSFET包括：在衬底中形成的槽型栅区；和在衬底中形成的源区和漏区，所述JFET包括：在衬底中形成的槽填充部底端下方形成的栅区；和在衬底中形成的源区和漏区，其中，所述JFET的栅区与所述MOSFET的源区在衬底中电接触，所述JFET的漏区与所述MOSFET的漏区包括衬底的相同部分。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新西区出口加工区（西区）科新路8号 | ||