一种具有电流阻挡层的发光二极管

摘要

本发明涉及一种具有电流阻挡层的发光二极管，从下至上依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极、有源层、p型GaN层、电流阻挡层、透明导电层和透明导电层上形成的p电极，其特征在于：所述透明导电层和所述电流阻挡层上均设有开孔结构，用于使所述p电极能通过所述透明导电层和所述电流阻挡层上的开孔结构与所述p型GaN层接触。本发明阻止了因p电极正下方的电流流动而造成电流阻塞效应，提高了发光强度；避免了活性层发出的光在p电极正下方被吸收，提高了光提取效率；增加了电极的粘附性，避免电极脱落的风险；使n电极和p电极颜色一致，方便下游芯片封装厂的自动作业。

主权项

一种具有电流阻挡层的发光二极管，从下至上依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型GaN层、n型GaN层上形成的n电极、有源层、p型GaN层、电流阻挡层、透明导电层和透明导电层上形成的p电极，其特征在于：所述透明导电层和所述电流阻挡层上均设有开孔结构，用于使所述p电极能通过所述透明导电层和所述电流阻挡层上的开孔结构与所述p型GaN层接触。