窄光谱高功率半导体激光器叠阵及其制备方法

摘要

本发明涉及一种窄光谱高功率半导体激光器叠阵及其制备方法，依据半导体激光器叠阵的制冷方式对半导体激光器叠阵进行模拟实验，得出组成叠阵的各个放置巴条区域的温度分布情况，测量每一个巴条的光谱，得出每一个巴条的中心波长，将中心波长较大的巴条置于模拟出的温度较低的区域，将中心波长较小的巴条置于叠阵温度较高的区域，使巴条波长与区域温度相匹配，组装叠阵，达到组成叠阵的巴条波长一致输出，即为高功率窄光谱半导体激光器叠阵。该发明具有很好地光谱窄化效果，采用本发明方法制备的半导体激光器叠阵光谱宽度能够降低30%左右。

主权项

一种窄光谱高功率半导体激光器叠阵的制备方法，包括以下步骤：（1）依据半导体激光器叠阵的制冷方式对半导体激光器叠阵进行模拟实验，得出组成叠阵的各个放置巴条区域的温度分布情况；（2）测量每一个巴条的光谱，得出每一个巴条的中心波长；（3）将中心波长较大的巴条置于步骤（1）中模拟出的温度较低的区域，将中心波长较小的巴条置于叠阵温度较高的区域，使巴条波长与区域温度相匹配；（4）组装叠阵，达到组成叠阵的巴条波长一致输出，即为高功率窄光谱半导体激光器叠阵。