发明名称 半导体器件及其驱动方法
摘要 本发明的名称是“半导体器件及其驱动方法”。在无电池RFID芯片中业已存在的问题是,在天线受到强电磁场作用时会产生出高电压AC信号,因此,通过对AC信号整流所得到的DC电压也成为高电压。因此,出现了逻辑电路和时钟发生器电路的发热或元件损坏。本发明采取了如下措施:将通过AC信号整流所产生的DC电压与参考电压在比较电路中进行比较,并在DC电压更高时使开关元件转至ON以便将电容量加到天线电路上。因此,天线谐振点改变,其再衰减天线电路中产生的AC信号,从而抑制DC电压。
申请公布号 CN101609513B 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN200910203520.1 申请日期 2004.12.17
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 小山润;斋藤利彦
分类号 G06K19/07(2006.01)I 主分类号 G06K19/07(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 朱海煜;王小衡
主权项 一种半导体器件,包括:柔性衬底;天线电路,包括天线和天线电容器,其中,所述天线和所述天线电容器在所述柔性衬底上形成;转换电路,在所述柔性衬底上形成,所述转换电路将从所述天线电路提供的AC电压转换成DC电压;电容器,在所述柔性衬底上形成;开关元件,在所述柔性衬底上形成;比较电路,在所述柔性衬底上形成;以及参考电压源,在所述柔性衬底上形成;其中,所述电容器的一端电连接到所述天线电路的输出端,并且所述电容器的另一端电连接到所述开关元件;其中,所述电容器和所述开关元件串联在所述天线电路的所述输出端和地之间;以及其中,所述比较电路将所述DC电压与所述参考电压源的输出电压进行比较,并控制所述开关元件。
地址 日本神奈川县厚木市