发明名称 一种基于共源极正反馈的双二阶单元
摘要 本发明公开了一种基于共源极正反馈的双二阶单元,包括第一级电流积分器,用于接收输入电流信号给电容充电,提供输出电流信号,形成第一级电流积分器;第二级电流积分器,用于接收第一级电流积分器输出的电流信号给电容充电,提供输出电流信号,形成第二级电流积分器;反馈单元,用于与第一级电流积分器和第二级电流积分器一起综合复数极点;电流源,用于提供双二阶单元的支路电流。本发明提出的共源极正反馈的双二阶单元,用于级联设计方法实现高阶模拟滤波器,具有很高的带外线性度,同时有效降低了带内噪声,打破了带内的积分噪声和带外线性度是折中关系,进而提高了带外SFDR。
申请公布号 CN102075162B 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN200910238765.8 申请日期 2009.11.24
申请人 中国科学院微电子研究所 发明人 陈勇;周玉梅
分类号 H03H11/04(2006.01)I;H03H11/12(2006.01)I 主分类号 H03H11/04(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周国城
主权项 一种基于共源极正反馈的双二阶单元,其特征在于,包括:一第一级电流积分器,包括两个NMOS晶体管和一个电容,接收输入电流信号给电容充电,提供输出电流信号,形成第一级电流积分器;一第二级电流积分器,包括两个NMOS晶体管和一个电容,接收第一级电流积分器输出的电流信号给电容充电,提供输出电流信号,形成第二级电流积分器;一反馈单元,包括两个PMOS晶体管和两个NMOS晶体管,用于与第一级电流积分器和第二级电流积分器一起综合复数极点;以及一电流源,提供该双二阶单元的支路电流;其中,所述第一级电流积分器包括:NMOS管M1a,该管的栅极标记为n7,漏极标记为n3,源极标记为n1,衬底接地电压GND;NMOS管M1b,该管的栅极标记为n8,漏极标记为n4,源极标记为n2,衬底接地电压GND;以及电容C1/2,一端接n1,另一端接n2;所述第二级电流积分器包括:NMOS管M2a,该管的栅极标记为Vbp,漏极标记为n5,源极接n3,衬底接地电压GND;NMOS管M2b,该管的栅极标记为Vbp,漏极标记为n6,源极接n4,衬底接地电压GND;以及电容C2/2,一端接n3,另一端接n4。
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