半导体器件的制作方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的制作方法，该方法包括：对NMOS管的多晶硅栅极注入N型离子或锗Ge离子；同时对NMOS管和PMOS管的多晶硅栅极进行刻蚀；沉积第一功函数金属，并依次去除PMOS管中的第一功函数金属和剩余的多晶硅栅极，保留NMOS管中的第一功函数金属；在PMOS管中沉积第二功函数金属；在介质层之上沉积栅电极金属，并采用CMP将栅电极金属研磨至介质层的表面。采用该方法能够提高半导体器件的性能。

主权项

一种半导体器件的制作方法，该方法包括：在衬底内形成用于隔离有源区的浅沟槽隔离区STI，并在有源区分别形成N型金属氧化物半导体NMOS管、P型金属氧化物半导体PMOS管的多晶硅栅极结构，所述多晶硅栅极结构包括由多晶硅构成的多晶硅栅极和位于所述多晶硅栅极下方的栅氧化层，形成所述NMOS管和PMOS管的多晶硅栅极结构后，在NMOS管和PMOS管的多晶硅栅极两侧的衬底上进行轻掺杂漏LDD注入；形成NMOS管和PMOS管的多晶硅栅极的侧壁层；分别在NMOS管和PMOS管的侧壁层两侧的半导体衬底上进行离子注入，形成NMOS管和PMOS管的漏极和源极；在衬底表面沉积介质层，并采用化学机械研磨工艺CMP将介质层研磨至多晶硅栅极的表面，其特征在于，该方法还包括：对NMOS管的多晶硅栅极注入N型离子或锗Ge离子；同时对NMOS管和PMOS管的多晶硅栅极进行刻蚀，当NMOS管的多晶硅栅极被刻蚀完毕后，PMOS管中的多晶硅栅极还有部分保留；沉积第一功函数金属，并依次去除PMOS管中的第一功函数金属和剩余的多晶硅栅极，保留NMOS管中的第一功函数金属；在PMOS管中沉积第二功函数金属；在介质层之上沉积栅电极金属，并采用CMP将栅电极金属研磨至介质层的表面。