制作互补金属氧化物半导体器件的方法和结构

摘要

本发明公开了一种制作互补金属氧化物半导体器件的方法，制作出具有双衬里层以及双金属前介质层的互补金属氧化物半导体器件，优化了半导体器件的整体性能。本发明还提供了一种互补金属氧化物半导体器件，具有双衬里层以及双金属前介质层，改善载流子迁移率的效果明显。

主权项

一种制作互补金属氧化物半导体器件的方法，包括下列步骤：a：提供第一器件和与所述第一器件极性类型相反的第二器件，所述第一器件具有第一栅极材料层，所述第二器件具有第二栅极材料层，且所述第一栅极材料层与所述第二栅极材料层的顶部平齐；b：在所述第一器件和所述第二器件上形成第一应力层；c：在所述第一应力层上形成第一金属前介质层；d：去除部分所述第一应力层和部分所述第一金属前介质层，直至暴露出所述第一栅极材料层和所述第二栅极材料层为止，使剩余的所述第一应力层和剩余的所述第一金属前介质层的顶部与所述第一栅极材料层和所述第二栅极材料层的顶部平齐；e：图案化并去除所述第二器件上方的部分所述第一应力层和所述第二器件上方的部分所述第一金属前介质层；f：在所述剩余的所述第一金属前介质层、所述第一应力层、所述第一栅极材料层和所述第二器件上方形成第二应力层；g：在所述第二应力层上形成第二金属前介质层；h：图案化并去除所述第一器件上方的部分所述第二应力层和所述第一器件上方的部分所述第二金属前介质层，去除所述第二器件上方的部分所述第二金属前介质层和部分所述第二应力层，直至暴露出所述第一栅极材料层和所述第二栅极材料层为止，使剩余的所述第二金属前介质层和剩余的所述第二应力层的顶部与所述第二栅极材料层的顶部平齐；i：去除所述第一栅极材料层和所述第二栅极材料层；j：在去除所述第一栅极材料层的第一器件和去除所述第二栅极材料层的第二器件上面形成第一金属层；k：图案化并去除所述去除所述第一栅极材料层的第一器件上面的部分所述第一金属层；l：在剩余的所述第一金属层和所述去除所述第一栅极材料层的第一器件的上面形成第二金属层；m：在所述第二金属层上面形成金属电极层；n：去除部分所述金属电极层、所述去除所述第一栅极材料层的第一器件上方的部分所述第二金属层、所述去除所述第二栅极材料层的第二器 件上方的部分所述第二金属层和部分所述剩余的所述第一金属层，使剩余的所述金属电极层的顶部、所述剩余的所述第一金属层的顶部、所述剩余的第二金属层的顶部均与所述剩余的所述的第一金属前介质层和所述剩余的所述的第二金属前介质层平齐。