发明名称 |
一种有机无机杂化太阳能电池及制备工艺 |
摘要 |
一种有机无机杂化太阳能电池及制备工艺,属于杂化太阳能电池技术领域。整体结构层次依次为透明导电基底、氧化锌晶种层、一维氧化锌和有机半导体材料混合层、有机半导体层和金属薄膜;依据太阳能电池结构进行逐层制备,在金属薄膜时采用胶带掩膜工艺,本发明所得太阳能电池的光电转化效率得到极大的提高。 |
申请公布号 |
CN103078058A |
申请公布日期 |
2013.05.01 |
申请号 |
CN201310031253.0 |
申请日期 |
2013.01.28 |
申请人 |
北京化工大学 |
发明人 |
陶霞;刘玉;郑言贞;陈建峰 |
分类号 |
H01L51/44(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/44(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
张慧 |
主权项 |
一种有机无机杂化太阳能电池,其特征在于,整体结构层次依次为透明导电基底、氧化锌晶种层、一维氧化锌和有机半导体材料混合层、有机半导体层和金属薄膜;其中导电基底上划分为四部分:1、2、3和4,1部分导电基底的导电层被刻蚀掉,其上结构层次依次为氧化锌晶种层(d)、一维氧化锌(c)和有机半导体材料(b)混合层、有机半导体层(b)和金属薄膜(a);2部分导电基底的导电层(e)上的结构层次为氧化锌晶种层(d)、一维氧化锌(c)和有机半导体材料(b)混合层、有机半导体层(b)和金属薄膜(a),3部分导电基底的导电层(e)上的结构层次为氧化锌晶种层(d)、一维氧化锌(c)和有机半导体材料(b)混合层、有机半导体层(b),4部分导电基底的导电层(e)上则为金属薄膜(a),且4部分的金属薄膜(a)是独立的。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北三环东路15路 |