发明名称 准一维纳米材料场效应管电容电导同时检测生物传感器
摘要 本发明属于微机械系统和生物纳米传感技术领域的一种基于准一维纳米材料场效应管电容电导敏感特性的准一维纳米材料场效应管电容电导同时检测生物传感器。主要由上硅片上的绝缘层及其上的金属电极、准一维纳米材料、凹形槽及槽底生物修饰层;下硅片上的金属栅极;以及金属栅极与凹形槽形成的微流通道构成。利用准一维纳米材料场效应管,并进行生物修饰,利用抗原抗体反应来影响栅极电场,从而改变准一维纳米材料沟道电导及场效应管电容,实现高灵敏度、快速、准确的生物分子或病毒检测技术;利用MEMS技术和背面硅基片生物修饰技术相结合,加工简单,适合大批量生产,易于集成化,而且易于推广应用。
申请公布号 CN101625358B 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN200910136064.3 申请日期 2009.04.27
申请人 北京信息科技大学 发明人 邹小平;程进
分类号 G01N33/569(2006.01)I;G01N27/414(2006.01)I;G01N27/04(2006.01)I;G01N27/22(2006.01)I 主分类号 G01N33/569(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种基于准一维纳米材料场效应管电容电导敏感特性的准一维纳米材料场效应管电容电导同时检测生物传感器,其特征在于:所述的基于准一维纳米材料场效应管电容电导敏感特性的准一维纳米材料场效应管电容电导同时检测生物传感器,主要由上、下两个硅片组成;上硅片上表面有热氧化生长的绝缘层,在绝缘层上沉积有金属源电极和金属漏电极,在金属源电极和金属漏电极之间有分散排布的用于连接金属源电极和金属漏电极的准一维纳米材料,上硅片的下表面有体硅腐蚀形成的凹形槽,在凹形槽底部修饰有含有受体分子的生物修饰层;下硅片上表面沉积有金属栅电极薄膜;上硅片凹形槽一侧与下硅片金属栅电极薄膜一侧对准键合,形成微流通道;在微流通道中加入含有被检测目标生物分子或病毒的液体,受体分子与被检测目标生物分子或病毒发生特异性反应,引起准一维纳米材料沟道电导和准一维纳米材料场效应管电容同时发生变化,实现目标生物分子或病毒的检测。
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