发明名称 |
低抖动、宽操作频带及适合低电压操作的频率合成系统 |
摘要 |
本发明涉及一种低抖动、宽操作频带及适合低电压操作的频率合成系统,其包括:检测器,其依据输入信号与反馈信号的逻辑值差异产生检测信号;电荷泵,其依据所述检测信号,进而产生控制信号;滤波器,其依据所述控制信号产生调整信号;偏压电路,其依据调整信号产生第一偏压信号及第二偏压信号;可控式振荡器,其依据所述第一偏压信号及第二偏压信号产生差动输出信号;差动转单端转换器,其将差动输出信号转换为输出信号;以及可编程分频装置,其依据所述输出信号产生反馈信号。 |
申请公布号 |
CN101820282B |
申请公布日期 |
2013.05.01 |
申请号 |
CN200910118325.9 |
申请日期 |
2009.02.27 |
申请人 |
凌阳科技股份有限公司 |
发明人 |
陈俊亮;徐慧君 |
分类号 |
H03L7/085(2006.01)I;H03L7/099(2006.01)I;H03H7/06(2006.01)I;G05F1/56(2006.01)I;H03K5/13(2006.01)I |
主分类号 |
H03L7/085(2006.01)I |
代理机构 |
北京戈程知识产权代理有限公司 11314 |
代理人 |
程伟;王锦阳 |
主权项 |
一种频率合成系统,包括:检测器,其依据输入信号与反馈信号的逻辑值的差异,进而产生检测信号;电荷泵,其连接到所述检测器,以依据所述检测信号而产生控制信号;滤波器,其连接到所述电荷泵,以依据所述控制信号而产生调整信号;偏压电路,其连接到所述滤波器,以依据所述调整信号而产生第一偏压信号及第二偏压信号,其中,所述偏压电路包括运算放大器、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管及电压缓冲器,所述运算放大器的输出端连接至第一PMOS晶体管的基极,第一PMOS晶体管的源极连接至高电位,第一PMOS晶体管的漏极连接至第二PMOS晶体管的源极,第二PMOS晶体管的基极连接至低电位,第二PMOS晶体管的漏极连接至运算放大器的非反相输入端、第一NMOS晶体管的基极及漏极、及第二NMOS晶体管的基极及漏极,第一和第二NMOS晶体管的源极分别连接至低电位,该运算放大器的反相输入端连接至该滤波器,该电压缓冲器连接至该运算放大器的输出端;可控式振荡器,连接到所述偏压电路,以依据所述第一偏压信号及所述第二偏压信号,进而产生差动输出信号;差动转单端转换器,连接到所述可控式振荡器,用以将所述差动输出信号转换为输出信号;以及可编程分频装置,连接到所述差动转单端转换器,以依据所述输出信号而产生所述反馈信号。 |
地址 |
中国台湾新竹 |