硅片共晶键合检测方法

摘要

本发明提供了一种硅片共晶键合检测方法，包括：在第一加热板上的第一待键合硅片与第二加热板上的第二待键合硅片对齐的情况下，使第一加热板和第二加热板相对挤压并且加热，从而第一待键合硅片的表面上的第一金属层与第二待键合硅片的表面上的第二金属层由于加热加压而相互熔融，同时在所述第一加热板和所述第二加热板之间施加交流信号，并测量第一加热板、第一待键合硅片、第一金属层、第二加热板、第二待键合硅片和第二金属层组成的整体系统的等效阻抗。当所述整体系统的等效阻抗在预定时间内保持不变时，判断硅片共晶键合制程到达终止点。所述等效阻抗包括等效电阻、等效电容的容抗以及等效电感的感抗之一或者它们的任意组合。

主权项

一种硅片共晶键合检测方法，其特征在于包括：在第一加热板上的第一待键合硅片与第二加热板上的第二待键合硅片对齐的情况下，使第一加热板和第二加热板相对挤压并且加热，从而第一待键合硅片的表面上的第一金属层与第二待键合硅片的表面上的第二金属层由于加热加压而相互熔融，同时在所述第一加热板和所述第二加热板之间施加交流信号，并测量第一加热板、第一待键合硅片、第一金属层、第二加热板、第二待键合硅片和第二金属层组成的整体系统的等效阻抗。