发明名称 具有双重功能的多级单元存取缓冲器
摘要 提供了一种诸如页面缓冲器的存取缓冲器,用于使用2级MLC(多级单元)操作来写到诸如闪存的非易失性存储器。该存取缓冲器具有用于临时保存将被写入的数据的第一锁存器。提供第二锁存器用于从该存储器读取数据作为该两级写操作的一部分。该第二锁存器具有反相器,其当从该存储器读取时参与锁存功能。相同的反相器用于产生被写入该第一锁存器的输入信号的补码,导致双端输入被用于写到该第一锁存器。
申请公布号 CN101720484B 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN200880022943.7 申请日期 2008.04.28
申请人 莫塞德技术公司 发明人 潘弘柏
分类号 G11C7/10(2006.01)I;G11C11/40(2006.01)I;G11C11/41(2006.01)I;G11C11/413(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;G11C7/12(2006.01)I 主分类号 G11C7/10(2006.01)I
代理机构 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 代理人 王勇
主权项 一种用于写到非易失性存储器的存取缓冲器,该存取缓冲器包括:用于接收具有被写到该存储器的输入位的单端输入信号的单端输入端;用于锁存该输入位的第一锁存器,该第一锁存器具有用于接收包括该输入位的双端输入信号的双端输入端;用于锁存从该非易失性存储器中的存储器位置的较下页面读取的值的第二锁存器,其中,所述存储器位置具有较上页面和所述较下页面;和用于产生该单端输入信号的补码的补码信号产生器,该双端输入信号包括该单端输入信号和该单端输入信号的补码。
地址 加拿大安大略省