紧凑型太赫兹功率合成倍频电路

摘要

本实用新型公开了一种紧凑型太赫兹功率合成倍频电路，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置结构相同的输入波导结构、合成通道、输出波导结构和直流偏置电路；合成通道的一端连接输入波导结构，另一端连接输出波导结构，合成通道内设置两组相互镜像对称的薄膜芯片，薄膜芯片的一组连接到金属上基座上，另一组连接到金属下基座上，直流偏置电路上设置芯片电容，芯片电容和薄膜芯片相连。本实用新型基于微纳技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；本实用新型具有端口性能好的特点；本实用新型具有效率较高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。

主权项

一种紧凑型太赫兹功率合成倍频电路，其特征在于，包括金属上基座（1）和金属下基座（2），金属上基座（1）和金属下基座（2）形成的腔体内分别设置结构相同的输入波导结构（3）、合成通道（4）、输出波导结构（5）和直流偏置电路（6）；合成通道（4）的一端连接输入波导结构（3），另一端连接输出波导结构（5），合成通道（4）内设置两组相互镜像对称的薄膜芯片（7），薄膜芯片（7）的一组连接到金属上基座（1）上，另一组连接到金属下基座（2）上，直流偏置电路（6）上设置芯片电容（61），芯片电容（61）和薄膜芯片（7）相连。