发明名称 |
半导体发光装置、光学打印头以及图像形成装置 |
摘要 |
本发明提供一种将电气性能与发光性能同时最优化的高性能半导体装置。本发明的半导体装置的特征在于,具有:正极层121;与正极层不同导电类型的负极层111;控制正极层与负极层的电气导通的闸层120a和120b;设置在正极层与负极层之间,通过电子与正孔的再结合进行发光的活性层114;与活性层的一面相接,大于活性层的能带隙的第1覆盖层115;与活性层的另一面相接,大于活性层的能带隙,且与第1覆盖层不同导电类型的第2覆盖层113,其中,闸层的厚度小于被注入闸层的少数载体的平均自由行程。 |
申请公布号 |
CN101546800B |
申请公布日期 |
2013.05.01 |
申请号 |
CN200810187432.2 |
申请日期 |
2008.12.29 |
申请人 |
日本冲信息株式会社 |
发明人 |
中井佑亮;古田裕典;藤原博之;荻原光彦 |
分类号 |
H01L33/00(2006.01)I;B41J2/45(2006.01)I;G03G15/00(2006.01)I;G03G15/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海德昭知识产权代理有限公司 31204 |
代理人 |
郁旦蓉 |
主权项 |
一种半导体发光装置,其特征在于,具有:正极层;与所述正极层呈不同导电类型的负极层;控制所述正极层与所述负极层之间的电气导通的闸层;设置于所述正极层和所述负极层之间,通过电子与正孔的再结合进行发光的活性层;与所述活性层的一面相接,大于该活性层的能带隙的第1覆盖层;以及与所述活性层的另一面相接,大于该活性层的能带隙,且与所述第1覆盖层呈不同导电类型的第2覆盖层,其中,所述活性层被设置在所述闸层与所述负极层之间,所述闸层的厚度是在被注入该闸层的少数载体的平均自由行程以下。 |
地址 |
日本东京都 |