发明名称 一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池
摘要 本发明公开了一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池,包括N型硅衬底,N型硅衬底上下两个表面上均制成绒面,N型硅衬底上表面绒面上自下而上依次高温硼扩散掺杂沉积隔离层I(SiO2)、P型掺杂层、隔离层I和P+型掺杂层四层结构;最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜;其中要在最后才实行埋电极与输出极的制备(上电极等丝网印刷技术);N型硅衬底下表面绒面上自上而下进行背面的亚高温磷扩散掺杂,依次形成隔离层I(SiO2)和N+型掺杂层构成NIN+的结构。
申请公布号 CN103077984A 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN201210594989.4 申请日期 2012.12.28
申请人 浙江金贝能源科技有限公司 发明人 韩元杰;李新富;吴鹏飞;张冰;余上新
分类号 H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/076(2012.01)I;H01L31/077(2012.01)I 主分类号 H01L31/0352(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种N型硅衬底的双PIN结双面太阳能电池,其特征在于:包括N型硅衬底,N型硅衬底上下两个表面上均制成绒面,N型硅衬底上表面绒面上进行高温硼扩散掺杂,并自下而上依次形成隔离层I、P型掺杂层、隔离层I和P+型掺杂层的四层结构;最上一层再用PECVD技术实现SiN减反射膜;其中要在最后才实行埋电极与输出极的制备;N型硅衬底下表面绒面上进行背面的高温硼扩散掺杂,并自上而下依次形成隔离层I和N+型掺杂层构成NIN+的结构。
地址 311500 浙江省杭州市桐庐县桐庐经济开发区石珠路288号