一种选择性发射结与背面点接触结合的太阳能电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种选择性发射结与背面点接触结合的太阳能电池的制备方法，（a）硅片去损伤并制绒；（b）磷扩散；（c）背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光；（d）选择性发射结及PSG去除清洗；（e）背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；（f）正面减反射薄膜生长；（g）背面开孔；（h）丝网印刷背银，背铝，正银；（i）烧结，测试。本发明通过改进生产工艺，保证电池转换效率的同时能够有效降低生产成本，提高企业经济效益，适于产业化生产。

主权项

一种选择性发射结与背面点接触结合的太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括步骤（a）硅片去损伤并制绒；（b）磷扩散；（c）背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光；（d）形成选择性发射结及PSG去除清洗；（e）背面氧化铝/氮化硅叠层薄膜生长；（f）正面减反射薄膜生长（g）背面开孔；（h）丝网印刷背银，背铝，正银；（i）烧结，测试；其中，所述步骤（c）背面磷硅玻璃PSG去除，背面抛光方法为采用在线滚轮式设备，单面去除PSG，再对其进行抛光。