| 发明名称 | 一种GaAs衬底上扩展波长InGaAs探测器结构 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种GaAs衬底上扩展波长InGaAs探测器结构，使用该结构制备的探测器截止波长大于1.7微米小于3.5微米，在GaAs衬底上外延含铝砷化物材料作为缓冲层和下接触层，InGaAs作为吸收层，并采用含铝砷化物材料作为窗口层和上接触层。本发明的探测器结构可拓展InGaAs探测器及其阵列的应用范围，采用工艺更为成熟、质量更高的GaAs衬底，可降低器件成本、减小衬底缺陷对外延层暗电流的影响，提高量子效率，具有广泛的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN103077979A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201310005380.3 | 申请日期 | 2013.01.07 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 陈星佑;顾溢;张永刚 |
| 分类号 | H01L31/0304(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0304(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 黄志达 |
| 主权项 | 一种GaAs衬底上扩展波长InGaAs探测器结构，其特征在于：在GaAs衬底上外延含铝砷化物材料作为缓冲层和下接触层，InGaAs作为吸收层，并采用含铝砷化物材料作为窗口层和上接触层，用于制备截止波长大于1.7微米小于3.5微米的探测器。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室 | ||