半导体构造和在开口内提供导电材料的方法

摘要

一些实施例包括当保持所沉积含铜材料的温度大于100℃时利用所述含铜材料的物理气相沉积来沉积所述含铜材料的方法。一些实施例包括如下方法：用含金属组合物给开口加衬，当含铜材料的温度不大于约0℃时在所述含金属组合物上方物理气相沉积所述含铜材料，且然后当所述含铜材料处于约180℃到约250℃的范围内的温度下时使所述含铜材料退火。一些实施例包括用含有金属和氮的组合物给开口加衬且用含铜材料至少部分地填充所述经加衬开口的方法。一些实施例包括半导体构造，其沿开口的侧壁周边具有金属氮化物衬垫，且在所述开口内直接抵靠所述金属氮化物衬垫具有含铜材料。

主权项

一种将含铜材料沉积在多个开口内的方法，其包含所述含铜材料在所沉积含铜材料的温度大于100℃的条件下的物理气相沉积。