雪崩光电二极管

摘要

本发明的目的在于提供一种能够降低台面表面所引起的暗电流的APD。APD（301）具备：半绝缘性基板（1）；在半绝缘性基板（1）面上，按照p型电极层（2）、p型光吸收层（3A）、低杂质浓度的光吸收层（3B）、带隙倾斜层（4）、p型电场控制层（5）、雪崩倍增层（6）、n型电场控制层（7A）、以及低杂质浓度的电子行进层（7B）的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面（101）；从层叠方向观察时，外周处于第1台面（101）的外周的内侧，在电子行进层（7B）侧的表面上，按照n型电极缓冲层（8A）、以及n型电极层（8B）的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面（102）；和比p型电场控制层（5）处于第2台面（102）侧的层的、在第1台面（101）的外周的内侧包围第2台面（102）的外周的包围部分（14）中形成，防止在偏置施加时p型电场控制层（5）的包围部分耗尽化的耗尽化抑制区域（11）。

主权项

一种雪崩光电二极管，其特征在于包括：半绝缘性基板；在所述半绝缘性基板面上，按照p型电极层、p型光吸收层、低杂质浓度的光吸收层、带隙倾斜层、p型电场控制层、雪崩倍增层、n型电场控制层、以及低杂质浓度的电子行进层的顺序层叠的第1层叠结构所构成的第1台面；从层叠方向看，外周处于所述第1台面的外周的内侧，在所述第1台面的所述电子行进层侧的表面上，按照n型电极缓冲层、以及n型电极层的顺序层叠的第2层叠结构所构成的第2台面；以及比所述第1台面的所述p型电场控制层处于所述第2台面侧的层的、在从层叠方向看时在所述第1台面的外周的内侧包围所述第2台面的外周的包围部分中形成，防止在偏置施加时所述p型电场控制层的所述包围部分耗尽化的耗尽化抑制区域。