| 发明名称 | 在具有第一磁性隧道结及第二磁性隧道结的位单元处产生不可逆状态 | ||
| 摘要 | 一种在具有第一磁性隧道结MTJ及第二MTJ的位单元处产生不可逆状态的方法包括：施加编程电压到所述位单元的所述第一MTJ而不施加所述编程电压到所述位单元的所述第二MTJ。一种存储器装置(102)包括具有第一MTJ(106)及第二MTJ(108)的位单元以及编程电路(104)，所述编程电路经配置以通过施加编程信号到所述位单元的所述第一MTJ及所述第二MTJ中的选定一者而在所述位单元处产生不可逆状态。 | ||
| 申请公布号 | CN103081020A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201180042714.3 | 申请日期 | 2011.08.03 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 哈里·M·拉奥;金正丕;升·H·康;朱晓春;金泰贤;李康浩;李霞;徐华南;郝武扬;徐钟元;尼古拉斯·K·于;马修·迈克尔·诺瓦克;史蒂文·M·米伦多夫;阿萨夫·阿什克纳济 |
| 分类号 | G11C17/16(2006.01)I;G11C17/02(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I | 主分类号 | G11C17/16(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
| 主权项 | 一种方法，其包含：施加编程电压到位单元的第一磁性隧道结MTJ而不施加所述编程电压到所述位单元的第二MTJ以在所述位单元处产生不可逆状态。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||