发明名称 |
闪烁体晶体以及形成方法 |
摘要 |
在此提供了一种闪烁体晶体以及用于生长闪烁体晶体的一种方法,该晶体包括一种生成态的限边送膜生长(EFG)的单晶体。该生成态EFG单晶体具有一个本体,该本体具有厚度、宽度、和长度使得厚度<宽度<长度,并且该本体具有的垂直于该长度的截面积为不小于约16mm2。 |
申请公布号 |
CN101835927B |
申请公布日期 |
2013.05.01 |
申请号 |
CN200880112517.2 |
申请日期 |
2008.10.22 |
申请人 |
圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
发明人 |
V·塔塔特切科;S·A·扎内拉;J·W·罗契;C·D·琼斯;D·鲍威尔斯 |
分类号 |
C30B15/34(2006.01)I;C30B29/34(2006.01)I |
主分类号 |
C30B15/34(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
郭辉 |
主权项 |
一种晶体,包括:一种限边送膜生长(EFG)的闪烁体单晶体,该闪烁体单晶体包括一种稀土硅酸盐并且具有一个本体,该本体具有一个厚度、一个宽度、和一个长度,其中厚度≤宽度≤长度,该本体具有的垂直于该长度的截面面积为不小于16mm2,其中,所述稀土硅酸盐掺杂铈,并且沿代表最初生长方向的晶体长度测量,所述铈浓度变化不大于1.0×10‑4mol%/mm。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |