| 发明名称 | 基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种光电探测器芯片制作方法，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。本发明旨在最大限度地降低光电探测器制作中由于加工工艺引入的附加暗电流。 | ||
| 申请公布号 | CN103078009A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201310013303.2 | 申请日期 | 2013.01.14 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 张永刚;顾溢;李好斯白音 |
| 分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人 | 宋缨;孙健 |
| 主权项 | 一种基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法，其特征在于，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区长宁路865号5号楼505室 | ||