硫属元素层的高生产量印刷和金属间材料的使用

摘要

本发明公开了用于形成IB族-IIIA族-硫属元素化物化合物膜的前体材料的高生产量印刷的方法和装置。在一个实施方案中，该方法包括在衬底上形成前体层，其中，前体层包括一个或多个不连续层。这些层可以包括含一种或多种IB族元素和两种或更多种不同IDA族元素的至少第一层和含单质硫属元素颗粒的至少第二层。可以将前体层加热至足以熔化硫族元素颗粒并使硫属元素颗粒与前体层中的一种或多种IB族元素和IDA族元素反应的温度以形成IB-IIIA族硫属元素化物化合物。前体层中的至少一组颗粒是含有至少一种IB-IIIA族金属间合金相的金属间颗粒。该方法还可以包括制造IB-IIIA族硫属元素化物化合物的膜，其包括将纳米颗粒和/或纳米小球和/或纳米液滴混合以形成油墨，将该油墨沉积在衬底上，加热以便融化额外的硫属元素并使硫属元素与IB族和IIIA族元素和/或硫属元素化物反应以形成致密膜。

主权项

一种用于形成吸收层的方法，其包括：由前体材料在衬底上形成前体层，其中，所述前体材料包含：a)含至少一种IB‑IIIA族金属间材料的至少第一层；b)含硫属元素颗粒的至少第二层；以及以一个或多个步骤使前体层反应从而形成吸收层，其中所述IB‑IIIA族金属间材料选自如下组：Cu1In2的δ相的组成、Cu1In2的δ相与Cu16In9限定的相之间的组成、Cu1In2，Cu1Ga2、Cu1Ga2的中间固溶体、Cu68Ga38、Cu70Ga30、Cu75Ga25、端际固溶体和紧邻它的中间固溶体之间的相的Cu‑Ga组成、具有31.8至39.8wt％Ga的γ1相的Cu‑Ga组成、具有36.0至39.9wt％Ga的γ2相的Cu‑Ga组成、具有39.7至44.9wt％Ga的γ3相的Cu‑Ga组成、具有66.7至68.7wt％Ga的θ相的Cu‑Ga组成、γ2与γ3之间的相的Cu‑Ga组成、端际固溶体与γ1之间的相的Cu‑Ga组成、和富Cu的Cu‑Ga。