室温单电子晶体管的制备方法

摘要

本发明涉及一种室温单电子晶体管的制备方法。该方法为：在衬底表面上加工形成单电子晶体管的源极、漏极和栅极，并通过不同试剂的修饰处理令该衬底表面上的电极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成静电漏斗结构；至少将该衬底表面置于纳米粒子的分散液中，令纳米粒子在静电漏斗的引导下排布在单电子晶体管的源极与漏极之间；对衬底进行干燥处理，并在该衬底表面上覆设绝缘层。本发明的优点至少在于：克服了当前单电子晶体管量子点尺寸过大、量子点排列无序及不具备大规模制备单电子晶体管的能力等方面的问题，同时降低了单电子晶体管的生产成本。

主权项

一种室温单电子晶体管的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：采用微加工工艺在衬底表面上制成单电子晶体管的源极，漏极和栅极；分别采用第一试剂和第二试剂修饰该衬底表面上的电极区域以及非电极区域，令该电极区域和非电极区域分别负载异种电荷，从而在衬底上形成可引导纳米粒子精确定位的静电漏斗结构；将该衬底浸入纳米粒子的分散液中，使纳米粒子在静电漏斗的引导下落在单电子晶体管的源极与漏极之间；所述纳米粒子粒径小于10nm；所述源极和漏极之间的距离为5nm～20nm，且所述源极和漏极之间的距离不小于所述纳米粒子的粒径；将衬底吹干后，在该衬底表面上沉积一绝缘层；所述第一试剂采用可在金表面形成尾基为‑COOH的有机硫化合物；所述第二试剂采用可在二氧化硅表面形成尾基为‑N2H的生物试剂；所述纳米粒子采用Au纳米粒子。