Low-k芯片封装方法

摘要

本发明涉及一种Low-k芯片封装方法，属于芯片封装技术领域，它包括以下工艺过程：准备一片载体圆片，在载体圆片上贴上一层临时剥离膜，将芯片倒装在载体圆片上，载体圆片上贴上薄膜层I（2-4）进行包封，支撑圆片（2-5）键合到薄膜层I（2-4）上，在薄膜层I（2-4）完成再布线金属走线（2-6），在再布线金属走线（2-6）的终端形成金属柱（2-7），在金属柱（2-7）表面贴上薄膜层II（2-8）进行包封并固化，金属柱（2-7）顶端镀上金属层（2-9）；通过印刷或者植球的方式在所述金属层（2-9）上形成BGA焊球（2-10），最后将形成BGA焊球的重构晶圆切割成单颗BGA封装体。本发明方法成本低，且能够解决芯片封装过程应力集中导致Low-k芯片失效问题。

主权项

一种Low‑k芯片封装方法，其特征在于：所述方法包括以下工艺过程：步骤一、取一Low‑k圆片，将该Low‑k圆片切割成单颗芯片；步骤二、准备一片载体圆片，在载体圆片上通过光刻方式形成对位标志，完成载体圆片上的图形布局；步骤三、在载体圆片上贴上一层临时剥离膜，将步骤一切割成的单颗芯片一一倒装在贴有临时剥离膜的载体圆片上，完成芯片倒装；步骤四、在完成芯片倒装的载体圆片上贴上薄膜层I（2‑4）进行包封，在包封过程中将支撑圆片（2‑5）键合到薄膜层I（2‑4）上，然后固化薄膜层I（2‑4），形成由芯片、薄膜层I（2‑4）和支撑圆片（2‑5）组成的重构晶圆；步骤五、将上述重构晶圆与载体圆片进行剥离，并将重构晶圆的芯片表面清洗干净，露出芯片电极（2‑2）；步骤六、通过光刻、溅射和电镀方式在薄膜层I（2‑4）和芯片表面完成单层或多层再布线金属走线（2‑6），通过再布线金属走线（2‑6）将芯片电极（2‑2）引导至芯片周边区域；步骤七、在完成的再布线金属走线（2‑6）的终端通过光刻和电镀的方式形成金属柱（2‑7）；步骤八、在形成金属柱（2‑7）的重构晶圆表面贴上薄膜层II（2‑8）进行包封并固化，然后利用激光烧蚀的方式将金属柱顶端的薄膜材料刻蚀掉，形成金属柱（2‑7）的完整或部分开口，使金属柱（2‑7）顶端露出薄膜层II（2‑8）；步骤九、在露出薄膜层II（2‑8）的金属柱（2‑7）表面镀上金属层（2‑9）；步骤十、通过印刷或者植球的方式在所述金属层（2‑9）上形成BGA焊球（2‑10），最后将形成BGA焊球的重构晶圆切割成单颗BGA封装体。