用于背侧照明图像传感器的电路与光传感器重迭

摘要

本发明是关于一种背侧照明(BSI)成像传感器像素(400)，其包括：光电二极管(420)区域；及像素电路(430)。该光电二极管区域被布置在半导体管芯中，用于响应于入射在该BSI成像传感器像素的背侧上的光而累积图像电荷。该像素电路包含晶体管像素电路，该像素电路是布置在该半导体管芯的前侧与该光电二极管区域之间的该半导体管芯中。该像素电路的至少一部分与该光电二极管区域重迭。

主权项

一种背侧照明成像传感器，其包括：第一像素的第一光电二极管区域，其被布置在半导体管芯中，用于响应于入射在该背侧照明成像传感器的背侧上的光而累积图像电荷；所述第一像素的像素电路，其包含晶体管像素电路，该晶体管像素电路被布置在该半导体管芯内且在该半导体管芯的前侧与该第一光电二极管区域之间，其中该像素电路的至少一部分与该第一光电二极管区域重迭；及与所述第一像素相邻的第二像素，该第二像素包括第二光电二极管区域，其中，所述第二像素包括在所述第二光电二极管区域上方的未被所述第二像素使用的管芯面积，其中，所述第二像素将其未使用的管芯面积贡献至需要额外像素电路空间以用于较大或较高等像素内电路的所述第一像素。