发明名称 | 一种场发射阴极的处理方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种InGaAlN纳米线场发射阴极的制备方法,包括:先通过CVD的方法在沉积了一层Au的Si衬底上生长InGaAlN样品;把盛有Si衬底和高纯金属Ga、Al和In的钨舟放入管式炉内的石英管中;随后,用机械泵对石英管抽气,把石英管的温度升到某一固定值;再通NH3和Ar的混合气体;自然冷却到室温。 | ||
申请公布号 | CN103077866A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
申请号 | CN201210595710.4 | 申请日期 | 2012.12.17 |
申请人 | 青岛红星化工厂 | 发明人 | 纪成友;刘志龙 |
分类号 | H01J9/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J9/02(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种InGaAlN纳米线场发射阴极的制备方法,包括:先通过CVD的方法在沉积了一层Au的Si衬底上生长InGaAlN样品;沉积Au薄层前,Si片先在甲苯、丙酮、乙醇中经过超声清洗,再用去离子水冲洗;把盛有Si衬底和高纯金属Ga(99.999%)、Al(99.999%)和In(99.999%)的钨舟放入管式炉内的石英管中,顺着气流的方向依次放金属In、金属Ga、金属铝和Si衬底;Si衬底放置在气流的下端,和金属Ga的距离为3mm;随后,用机械泵对石英管抽气,当石英管中的真空度达到2×10‑1Torr时,把石英管的温度升到某一固定值;再通NH3(99.999%)和Ar(99.999%)的混合气体,使炉内的温度保持在这一固定值,NH3气和Ar气的的流量固定在某一值,管子的气压维持在3.5Torr,生长30min;自然冷却到室温。 | ||
地址 | 266000 山东省青岛市李沧区四流北路43号 |