| 发明名称 | 一种倒装LED芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种倒装LED芯片及其制造方法，包括：提供衬底，在衬底上沉积外延层，所述外延层包括N型氮化镓层、多量子阱有源层和P型氮化镓层；刻蚀所述外延层，形成台阶阵列，所述台阶阵列暴露出N型氮化镓层；在所述P型氮化镓层上形成第一金属层；对所述第一金属层进行退火自组装；以第一金属层为掩膜刻蚀所述P型氮化镓层，在所述P型氮化镓层中形成坑洞阵列；在坑洞阵列中沉积第二金属层，所述第一金属层和第二金属层组成金属反射镜层。这样，使多量子阱有源层发出的光在金属反射镜层上散射，而不被LED各层结构形成的波导结构限制，最终射出，提高LED的光析出率。 | ||
| 申请公布号 | CN103078050A | 申请公布日期 | 2013.05.01 |
| 申请号 | CN201310041872.8 | 申请日期 | 2013.02.01 |
| 申请人 | 映瑞光电科技（上海）有限公司 | 发明人 | 于洪波 |
| 分类号 | H01L33/60(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/60(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种倒装LED芯片的制造方法，包括：提供衬底，在衬底上沉积外延层，所述外延层包括N型氮化镓层、多量子阱有源层和P型氮化镓层；刻蚀所述外延层，形成台阶阵列，所述台阶阵列暴露出N型氮化镓层；在所述P型氮化镓层上形成第一金属层；对所述第一金属层进行退火自组装；以第一金属层为掩膜刻蚀所述P型氮化镓层，在所述P型氮化镓层中形成坑洞阵列；在坑洞阵列中沉积第二金属层，所述第一金属层和第二金属层组成金属反射镜层。 | ||
| 地址 | 201306 上海市浦东新区临港产业区鸿音路1889号 | ||