发明名称 基于Y形结构的太赫兹功率合成二倍频电路
摘要 本实用新型公开了一种基于Y形结构的太赫兹功率合成二倍频电路,包括金属上基座和金属下基座,金属上基座和金属下基座形成的腔体内设置输入波导结构、两组合成通道、输出波导结构和两组直流偏置电路;所述输入波导结构和输出波导结构为Y形,两组合成通道和直流偏置电路分别沿输入波导结构和输出波导结构Y形的中心线镜像设置,输入波导结构Y形的两端分别连接对应合成通道的输入端,输出波导结构Y形的两端分别连接对应合成通道的输出端,两组合成通道内分别悬置薄膜芯片,直流偏置电路上设置芯片电容,芯片电容和薄膜芯片相连。本实用新型具有结构紧凑、集成度高的特点:基于微纳技术,便于集成,结构紧凑。
申请公布号 CN202918244U 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN201220612463.X 申请日期 2012.11.19
申请人 东南大学 发明人 杨非;王宗新;孟洪福;崔铁军;孙忠良
分类号 H03B19/14(2006.01)I 主分类号 H03B19/14(2006.01)I
代理机构 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人 缪友菊
主权项 一种基于Y形结构的太赫兹功率合成二倍频电路,其特征在于,包括金属上基座(1)和金属下基座(2),金属上基座(1)和金属下基座(2)形成的腔体内设置输入波导结构(3)、两组合成通道(4)、输出波导结构(5)和两组直流偏置电路(6);所述输入波导结构(3)和输出波导结构(5)为Y形,两组合成通道(4)和直流偏置电路(6)分别沿输入波导结构(3)和输出波导结构(5)Y形的中心线镜像设置,输入波导结构(3)Y形的两端分别连接对应合成通道(4)的输入端,输出波导结构(5)Y形的两端分别连接对应合成通道(4)的输出端,两组合成通道(4)内分别悬置薄膜芯片(7),直流偏置电路(6)上设置芯片电容(61),芯片电容(61)和薄膜芯片(7)相连。
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