发明名称 一种低温低损伤多功能复合镀膜的装置和方法
摘要 本发明属于薄膜制备领域,具体地说是一种低温低损伤多功能复合镀膜的装置和方法。该装置由包括两组四个矩形非平衡态磁控靶材、一个离子源和一个工件转架在内的真空腔体组成。两组非平衡态靶并排放置,每组中两个靶材呈面对面放置,可独立工作或同时工作;靶与靶之间距离可调,靶与靶的角度可调,靶材使用直流电源驱动,在每组靶材中靶与靶之间产生等离子体。工件转架位于两组靶材之间的中间位置,离子源位于一组靶材侧面,起离子清洗和辅助沉积的作用。本发明可以屏蔽二次电子和氧负离子等造成聚合物等有机材料损伤和温升,并通过低温线性离子源辅助沉积,实现在聚合物等有机材料表面上低温低损伤高速均匀沉积薄膜。
申请公布号 CN103074586A 申请公布日期 2013.05.01
申请号 CN201310027354.0 申请日期 2013.01.23
申请人 中国科学院金属研究所 发明人 雷浩;肖金泉;宫骏;孙超
分类号 C23C14/35(2006.01)I 主分类号 C23C14/35(2006.01)I
代理机构 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人 张志伟
主权项 一种低温低损伤多功能复合镀膜的装置,其特征在于,该装置为真空装置,由包括两组四个矩形非平衡态磁控靶材、一个低温线性离子源和一个加偏压的工件转架在内的真空腔体组成;其中:两组非平衡态磁控靶材并排放置,每组中两个靶材呈面对面放置,独立工作或同时工作;在每组非平衡态磁控靶材中,靶材与靶材之间距离在10‑15cm可调,靶材与靶材的角度在0‑15度可调,靶材使用直流电源驱动,靶材与靶材之间产生等离子体;工件转架位于两组非平衡态磁控靶材之间的中间位置,低温线性离子源位于一组非平衡态磁控靶材侧面,起离子清洗和辅助沉积的作用。
地址 110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号